氧化钌电阻（氧化钌电阻率）

• 贴片电阻含贵金属吗？
• 102贴片电阻是多大的？
• 威廉铂金的五种形态？
• 铱矿粉是什么颜色的？
• 1nm芯片用什么架构？

贴片电阻含贵金属吗？

不含贵金属的。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

贴片电阻并不含金的，并不需要镀金。贴片式电阻一般由以下材料制作而成：文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

基材是氧化铝，电阻材料是氧化钌文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

1.基板（陶瓷基板）文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

2.电阻浆（R膏）文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

3.背导材料文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

4.正导材料及侧导材料（Ag浆）文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

5.一次保护玻璃G16.二次保护玻璃G27.Mark标记材料。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

102贴片电阻是多大的？

102贴片电阻的阻值是1000欧姆。也可以换算写作1kΩ。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

电阻的的单位是欧姆，简称欧，符号是Ω。电阻是是描述导体导电性能的物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

电阻是一种最根本最常用的电子元件，普遍应用在各种各类电子电路中。由于制造资料和构造不同，电阻器有许多品种，常见的有碳膜电阻器、金属膜电阻器、有机实芯电阻器。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

威廉铂金的五种形态？

1 包括紫色、红色、黄色、绿色、蓝色。
2 这五种铂金的颜色是由其表面形态和光线折射效应所决定的，因为威廉铂金是一种极少见的铂族金属合金，具有较高的折射率和反射率，因此会呈现出不同颜色的光泽。
3 都是非常珍贵且具有收藏价值的，其中最常见的是紫色和红色，而黄色、绿色和蓝色则较为罕见。
同时，这五种形态的威廉铂金也可以用于珠宝和装饰品制作。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

铱矿粉是什么颜色的？

铱矿粉是银白色的。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

Cas号 7439-88-5文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

分子量 192.22文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

性状 银白色金属，硬度很大，质脆，加热时有良好延展性。化学性质很稳定，常温下耐腐蚀性很强。不溶于酸、稍溶于王水和熔融碱。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

沸点： 4130℃
熔点： 2450℃
密度：22.42文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

用途文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

用于制造科学仪器、热电偶、电阻丝、耐高温合金、催化剂。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

1nm芯片用什么架构？

1nm制程需要用到forksheet，CFET晶体管架构，这些架构对局部互连提出了新的要求，相应地，后道工序需要采用新型材料，如钌（Ru）、钼（Mo）和金属合金，还需要降低中间工序的接触电阻。文章源自平泽贵金属回收公司 www.51gjs.com平泽贵金属-https://www.51gjs.com/48458.html

对于后道工序而言，金属线和通孔的电阻和电容仍然是最关键的参数。解决这个问题的一种方法是采用另一种金属化结构，称为“零通孔混合高度”。这种方案可以根据金属线的应用需求，灵活地将电阻换成电容。